BCW29 (1) datasheet pdf

BCW29, BCW30 BCW29, BCW30 PNP Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage PNP Version 2006-07-28 Dimensions - Maße [mm] 1 = B 2 = E 3 = C Power dissipation – Verlustleistung250 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca.0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (T A = 25°C)Grenzwerte (T A = 25°C) BCW29BCW30 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-SpannungB open- V CEO 32 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-SpannungE open- V CBO 32 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-SpannungC open- V EB0 5 V Power dissipation – VerlustleistungP tot 250 mW 1 ) Collector current – Kollektorstrom (dc)- I C 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom- I CM 200 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom- I BM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur T j T S -55...+150°C -55...+150°C Characteristics (T j = 25°C)Kennwerte (T j = 25°C) Min.Typ.Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - V CE = 5 V, - I C = 10 μABCW29 BCW30 h FE h FE – – 90 150 – – - V CE = 5 V, - I C = 2 mABCW29 BCW30 h FE h FE 120 215 – – 260 500 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2 ) - I C = 10 mA, - I B = 0.5 mA - I C = 50 mA, - I B = 2.5 mA - V CEsat - V CEsat – – 80 mV 150 mV 300 mV – 1 Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm 2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 Tested with pulses t p = 300 μs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t p = 300 μs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AGhttp://www.diotec.com/ 1 2.5 max 1.3 ±0.1 1.1 0.4 2.9 ±0.1 1 2 3 Ty p e Code 1.9

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